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安森美半導體推出新的乙太網供電(PoE)方案 支援IoT端點日益增長的功率需求
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安森美半導體推出新的乙太網供電(PoE)方案 支援IoT端點日益增長的功率需求

符合IEEE 802.3bt標準,針對不同應用提供90 W功率,
包括智慧感測器、建築自動化和聯接的照明

【2019年9月5日】推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),憑藉不斷增長的符合IEEE802.3bt標準的產品和技術陣容引領產業。乙太網供電(PoE)使用新的IEEE802.3bt標準,可用於通過局域網(LAN)聯接提供高達90 W的高速互聯。安森美半導體的方案不僅支援新標準的功率限制,還將功率擴展到100 W用於電信和數位標識等系統。

新的IEEE802.3bt PoE標準有潛力變革物聯網(IoT)所涉及的每個垂直市場,使更精密的端點可在更大的網路運行。IEEE802.3bt標準通過新的「Autoclass」特性最佳化能量管理,令受電裝置(PD)將其特定的功率需求傳遞給供電裝置(PSE)。這也令每個PSE僅向每個PD分配適當的功率量,從而最大化可用能量和頻寬。

與IEEE 802.at標準(PoE+)提供的30 W相比,IEEE 802.3bt可提供高達90 W的功率和互聯到新的應用,無需專用且通常為離線的電源。PoE將簡化網路拓撲,並提供更穩定的「隨插即用(plug and play)」用戶體驗。

商業信息供應商IHS Markit電源半導體高級分析師Kevin Anderson表示:「乙太網供電是當今電源半導體發展最快的市場之一,預計2017年到2022年的複合平均單位增長率為14%。IEEE 802.3bt中定義的更高供電能力促成新的應用,如更高功率聯接的照明、聯網的高解析度監控攝影機和高性能無線接入點。」

NCP1095和NCP1096介面控制器構成安森美半導體PoE-PD方案的基礎,具有PoE介面所需的所有特性,包括檢測、自動分類和限流。控制器採用一個外部(NCP1095)或內部(NCP1096)熱插拔FET。NCP1096整合的熱插拔FET具有Type 3或Type 4 PoE控制器可提供的最低導通電阻。控制器配以NCP1566 DC-DC控制器、FDMC8622單MOSFET、FDMQ8203和FDMQ8205A GreenBridge™四通道MOSFET,為PoE應用中的二極體橋提供更有效的替代方案。這些元件賦予高能效的PoE介面,最高可達標準的90 W功率限制,若需更高的功率,可用專用的100 W方案。

安森美半導體工業和離線電源配置副總裁Ryan Cameron表示:「作為一家專注於高能效的公司,我們很高興能促進PoE充分發揮潛力。安森美半導體提供全系列符合IEEE 802.3bt的方案,使這技術更容易普及所有開發工程師,有助於使更多聯接的裝置擁有保證的互通性。」

欲瞭解更多資訊,請聯繫您當地的安森美半導體代表或授權代理商。


更多資源及文檔:
登陸頁面(landing page):乙太網供電(PoE)方案
影音:您需要更大功率
部落格:開啟更大功率IoT應用的大門
白皮書:四通道MOSFET方案替代二極體橋方案顯著提高PoE能效

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關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)致力於推動高效能電子的創新,使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體是基於半導體的解決方案之領導供應商,提供全面性的高效能電源管理、類比、感測器、邏輯、時序、連線、離散元件、系統單晶片(SoC)及客製化元件。安森美半導體的產品幫助工程師解決在汽車、通訊、運算、消費性電子、工業、醫療、航空及國防應用的獨特設計挑戰。安森美半導體擁有敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質專案,及一套嚴謹的審查標準和道德規範計畫,在北美、歐洲和亞太地區的關鍵市場的營運網路更包括製造廠、銷售辦公室和設計中心。欲瞭解更多資訊請參閱:http://www.onsemi.com。
•在 Twitter 上追蹤安森美半導體:www.twitter.com/onsemi
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安森美半導體和安森美半導體圖標是 Semiconductor Components Industries, LLC 的註冊商標。所有本文中出現的其他品牌和產品名稱分別為其相應持有人的註冊商標或商標。雖然公司在本新聞稿提及其網站,但此稿並不包含其網站中有關的資訊。


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安森美半導體
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發稿單位: 盛思公關
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